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J-GLOBAL ID：200903056610750177
Agろう
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992199181
Publication number (International publication number)：1994015477
Application date： Jul. 02, 1992
Publication date： Jan. 25, 1994
Summary：
【要約】【目的】 加工性が良く、ろう付け温度が低く、AgPd膜、Au膜等の回路パターンと金属の基板及び前記回路パターンとセラミックスの基板と良好にろう付けできて、接合強度を高くできるAgろうを提供する。【構成】 In5〜30wt%、Ga 0.3〜15wt%、残部AgよりなるAgろう。In5〜30wt%、Cu10〜30wt%、Ga 0.3〜15wt%、残部AgよりなるAgろう。前記両Agろうのいずれに於いて、Ti 0.2〜5wt%添加されているAgろう。
Claim (excerpt)：
In5〜30wt%、Ga 0.3〜15wt%、残部AgよりなるAgろう。
IPC (2)：
B23K 35/30 310
, C22C 5/06
