Pat
J-GLOBAL ID:200903056610750177
Agろう
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992199181
Publication number (International publication number):1994015477
Application date: Jul. 02, 1992
Publication date: Jan. 25, 1994
Summary:
【要約】【目的】 加工性が良く、ろう付け温度が低く、AgPd膜、Au膜等の回路パターンと金属の基板及び前記回路パターンとセラミックスの基板と良好にろう付けできて、接合強度を高くできるAgろうを提供する。【構成】 In5〜30wt%、Ga 0.3〜15wt%、残部AgよりなるAgろう。In5〜30wt%、Cu10〜30wt%、Ga 0.3〜15wt%、残部AgよりなるAgろう。前記両Agろうのいずれに於いて、Ti 0.2〜5wt%添加されているAgろう。
Claim (excerpt):
In5〜30wt%、Ga 0.3〜15wt%、残部AgよりなるAgろう。
IPC (2):
B23K 35/30 310
, C22C 5/06
Patent cited by the Patent:
Return to Previous Page