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J-GLOBAL ID：200903056620134970

双方向型半導体装置の製造方法

Inventor： 伊藤 伸一
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993024576
Publication number (International publication number)：1994244408
Application date： Feb. 15, 1993
Publication date： Sep. 02, 1994
Summary：

【要約】【目的】直径が大きくて厚いウエーハを用いて両面拡散により製造する双方向型半導体装置の中央に残る高抵抗率層の厚さを薄くし、サージ電流耐量を向上させる。【構成】第一導電形のウエーハの両面に凹部を形成し、その凹部を含む領域に不純物を拡散して第二導電形の領域を形成すれば、中央に残る高抵抗率層の厚さが薄くなり、サージ電流耐量が向上する。そして、凹部の平面形状、深さを同一にし、両面の対向する位置に形成すれば、ウエーハが反ることもない。

Claim (excerpt)：

板状半導体素体の両主面に設けられた電極間に双方向に主電流を流すために中間の第一導電形の高抵抗率層をはさんで両主面側に少なくとも第二導電形の低抵抗率領域をそれぞれ有する双方向型半導体装置の製造方法において、第一導電形の高抵抗率半導体基板の両主面から凹部を形成する工程と、その凹部を含む主面領域からそれぞれ不純物を拡散して第二導電形の領域を形成する工程とを有する双方向型半導体装置の製造方法。