活性マトリックス液晶装置を製造する方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：中村稔 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996128559
Publication number (International publication number)：1996328041
Application date： May. 23, 1996
Publication date： Dec. 13, 1996
Summary：

【要約】【課題】 5つのマスクを使用して複数の薄膜トランジスタを有する活性マトリックス液晶装置を製造する方法を提供する。【解決手段】第1マスクを用いて複数のゲート電極が形成される。第2マスクを用いて該ゲート電極の上にエッチングストッパーが形成される。第3マスクを用いて複数のドレイン電極とソース電極とが形成される。第4マスクを用いて通過ホールを含む不動態層が形成される。第5マスクを用いて複数のピクセル電極が形成される。

Claim (excerpt)：

5つのマスクを用いて活性マトリックス液晶装置を製造する方法であって、第1マスクを用いて基板の上に複数のゲート電極を形成し、第2マスクを用いて前記複数のゲート電極の上に複数のエッチングストッパーを形成し、該各エッチングストッパーは1つのゲート電極の上に形成されており、複数のドレイン電極と複数のソース電極とを第3マスクを用いて形成し、前記各ドレイン電極の一部は対応する前記エッチングストッパーの第1部分の上に形成され、前記各ソース電極の一部は対応する前記エッチングストッパーのひとつの第2部分の上に形成され、この場合、前記ソース電極およびドレイン電極は前記対応する1つのエッチングストッパーの上で分離されており、第4マスクを用いて前記基板上に複数の通過ホールを有する不動態層を形成し、そして、第5マスクを用いて前記不動態層の上にピクセル電極を形成することを特徴とする方法。

IPC (4)：

G02F 1/136 500 , G02F 1/1343 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (3)：

G02F 1/136 500 , G02F 1/1343 , H01L 29/78 616 K

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

薄膜トランジスタマトリクスの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-003640 Applicant：富士通株式会社

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