Pat

J-GLOBAL ID：200903056627085436

半導体薄膜の製造方法

Inventor： 森 孝二 ,  近藤 信昭 ,  楠 雅統
Applicant, Patent owner： 株式会社リコー
Agent (1)： 樺山 亨 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992181122
Publication number (International publication number)：1994026966
Application date： Jul. 08, 1992
Publication date： Feb. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】結晶粒の粒径が制御され、特性の安定した半導体薄膜が得られる半導体薄膜の製造方法を提供する。【構成】絶縁性基板1上に形成した非晶質材料2を結晶化してなる半導体薄膜の製造方法において、結晶化時の雰囲気ガスとして以下の熱伝導率(κ)を有するガスを用い、このガス雰囲気中で結晶化することを特徴とする。0.03(W/m・K)<κ (at.0°C)【効果】フレキシブルなプラスチック基板等の絶縁性基板上にa-Si等の非晶質材料からなる薄膜を形成し、該薄膜を結晶化するに際して、雰囲気ガスに熱伝導性の良いガスを用いることで、粒径が制御され、特性の安定した半導体薄膜を得ることができる。

Claim (excerpt)：

絶縁性基板上に形成した非晶質材料を結晶化してなる半導体薄膜の製造方法において、結晶化時の雰囲気ガスとして以下の熱伝導率(κ)を有するガスを用い、このガス雰囲気中で結晶化することを特徴とする半導体薄膜の製造方法。0.03(W/m・K)<κ (at.0°C)

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平2-271611
  
• 特開昭59-147425
  
• 特開平2-194620
  
• 特開昭60-066863