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J-GLOBAL ID：200903056632108843

エピタキシャル基板および半導体素子

Inventor： 三浦 広平 ,  木山 誠 ,  岡久 拓司 ,  櫻田 隆
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (4)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  柴田 昌聰 ,  近藤 伊知良
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005005671
Publication number (International publication number)：2006196623
Application date： Jan. 12, 2005
Publication date： Jul. 27, 2006
Summary：

【課題】逆方向耐圧を向上可能な構造を有するIII族窒化物半導体素子を提供する。【解決手段】ショットキダイオード11では、p型の窒化ガリウム支持基体13は、第1の面13aと第1の面の反対側の第2の面13bとを有しており、1×1017cm-3を超えるキャリア濃度を示す。p型の窒化ガリウムエピタキシャル層15は、第1の面13a上に設けられている。オーミック電極17は、第2の面13b上に設けられている。ショットキ電極19は、窒化ガリウムエピタキシャル層15に設けられている。窒化ガリウムエピタキシャル層15の厚さD1は5マイクロメートル以上1000マイクロメートル以下である。また、窒化ガリウムエピタキシャル層15のキャリア濃度は、1×1014cm-3以上1×1017cm-3以下である。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

1×1017cm-3を超えるキャリア濃度を有しており第1の面と前記第1の面の反対側の第2の面とを持つp型のAlxGa1-xN(0≦x≦1)からなるIII族窒化物自立基板と、 前記第1の面上に設けられた第1のIII族窒化物エピタキシャル膜と を備え、 前記第1のIII族窒化物エピタキシャル膜の厚さは、5マイクロメートル以上1000マイクロメートル以下であり、 前記第1のIII族窒化物エピタキシャル膜のキャリア濃度は、1×1014cm-3以上1×1017cm-3以下である、エピタキシャル基板。

IPC (8)：

H01L 29/872 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 29/739 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/861 ,  H01L 29/201

FI (10)：

H01L29/48 D ,  H01L29/78 652F ,  H01L29/78 652G ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 655C ,  H01L29/78 658E ,  H01L29/78 658A ,  H01L29/91 D ,  H01L29/203 ,  H01L29/91 F

F-Term (12)：

4M104AA04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104CC05 ,  4M104DD34 ,  4M104DD35 ,  4M104FF13 ,  4M104GG03 ,  4M104GG08 ,  4M104GG18