半導体発光素子

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：河村洌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997077817
Publication number (International publication number)：1998275935
Application date： Mar. 28, 1997
Publication date： Oct. 13, 1998
Summary：

【要約】【課題】ドーパントの作用が充分でなく直列抵抗の大きい半導体層が用いられる半導体発光素子においてもチップ面積を大きくして輝度を上げることができる半導体発光素子を提供する。【解決手段】基板1と、該基板上に第1導電形層(p形層5)および第2導電形層(n形層3)が積層され発光層を形成する発光層形成部10と、該発光層形成部の第1導電形層および第2導電形層にそれぞれ電気的に接続して設けられる電極(p側電極8、n側電極9)とからなる発光素子チップを有し、前記電極の少なくとも第1導電形層に接続される第1の電極(p側電極8)は、前記第1導電形層の異なる場所に接続されるように複数個設けられている。

Claim (excerpt)：

基板と、該基板上に第1導電形層および第2導電形層が積層され発光層を形成する発光層形成部と、該発光層形成部の第1導電形層および第2導電形層にそれぞれ電気的に接続して設けられる電極とからなる発光素子チップを有し、前記電極の少なくとも第1導電形層に接続される第1の電極は、前記第1導電形層の異なる場所に接続されるように複数個設けられると共に、前記発光層形成部が、前記複数個設けられる第1の電極に対応するブロックに分割されてなる半導体発光素子。

FI (2)：

H01L 33/00 E , H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

面発光型半導体発光装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-253979 Applicant：住友電気工業株式会社
特公昭49-047995
特開平2-087685

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