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J-GLOBAL ID:200903056638137489

重層型スパイラルインダクタ

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 鈴木 ハルミ
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992024639
Publication number (International publication number):1993190333
Application date: Jan. 13, 1992
Publication date: Jul. 30, 1993
Summary:
【要約】【目的】 高周波回路に影響し易い寄生容量を小さく抑えることにより高周波回路の特性を改善するようにした大きなインダクタンス値のスパイラルインダクタを得ることである。【構成】 半導体または絶縁体の基板1の表面に絶縁体の脚6を介して上下のスパイラルインダクタ2,4を形成することにより、両インダクタ間に比誘電率の小さい空気層を介させてスパイラルインダクタを重層形成した。
Claim (excerpt):
半導体基板または絶縁体の基板上に、1層目のスパイラルインダクタを接して設けると共に、該1層目のスパイラルインダクタと2層目のスパイラルインダクタ間に空気層を形成して構成したことを特徴とする重層型スパイラルインダクタ。

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