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J-GLOBAL ID：200903056639205437

電界効果トランジスタ

Inventor： 岡 貞治 ,  小林 信治 ,  野々山 淳 ,  藤田 忠重
Applicant, Patent owner： 横河電機株式会社
Agent (1)： 小沢 信助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993145009
Publication number (International publication number)：1995014851
Application date： Jun. 16, 1993
Publication date： Jan. 17, 1995
Summary：

【要約】【目的】簡単な構造でゲート・ドレイン間の耐圧を高くすることができる電界効果トランジスタを提供すること。【構成】主表面の断面が原子単位の階段状となっている半絶縁性化合物半導体の基板、主表面上に積層され断面を原子単位の階段状とするN型化合物半導体層、N型化合物半導体層に対してオーミック性を有するソース電極及びドレイン電極、ソース電極とドレイン電極の間のN型化合物半導体層に接触してショットキー障壁を形成するゲート電極、を具備し、ゲート電極とドレイン電極を第一結晶面と第二結晶面とが接して形成されるエッジに交差する方向に配置することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

面方位の異なる第一結晶面と第二結晶面とが接してその主表面の断面が原子単位の階段状となっている半絶縁性化合物半導体の基板と、前記主表面上にその断面を原子単位の階段状として積層されるN型化合物半導体層と、前記N型化合物半導体層上に形成され、前記N型化合物半導体層に対してオーミック性を有するソース電極と、前記N型化合物半導体層上に形成され、前記N型化合物半導体層に対してオーミック性を有するドレイン電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極の間の前記N型化合物半導体層に接触してショットキー障壁を形成するゲート電極と、を具備し、前記ゲート電極と前記ドレイン電極を前記第一結晶面と前記第二結晶面とが接して形成されるエッジに交差する方向に配置することを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 21/338 ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/812