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J-GLOBAL ID：200903056640562740
磁気抵抗効果素子
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
藤巻 正憲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994121584
Publication number (International publication number)：1995326807
Application date： Jun. 02, 1994
Publication date： Dec. 12, 1995
Summary：
【要約】【目的】 磁気抵抗効果が大きいと共に、バルクハウゼンノイズを抑制できる磁気抵抗効果素子を提供する。【構成】 ガラス基板1上に、電子ビーム蒸着法によりパーマロイ膜2を形成し、続けて電子ビーム蒸着法によりこのパーマロイ膜2上にMn膜3を形成する。次いで、パーマロイ膜2の磁化方向に磁界を印加しつつ、真空中で300°Cの温度で熱処理することにより、パーマロイ膜2とMn膜3との界面にFe-Mn系合金層4を形成する。このFe-Mn系合金層4は、パーマロイ膜2の磁化方向にバイアス磁界が発生する。その後、Mn膜3上に1対の電極5を形成する。
Claim (excerpt)：
電子ビーム蒸着法により形成されたパーマロイ膜及びMn膜と、前記パーマロイ膜と前記Mn膜との反応によりその界面に形成された反強磁性を有するFe-Mn系合金層と、前記パーマロイ膜及び前記Mn膜のいずれか一方に配設された1対の電極と、を有することを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (4)：
H01L 43/08
, G01R 33/09
, G11B 5/39
, H01F 10/14
