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J-GLOBAL ID：200903056653551526

酸化タンタル薄膜の製造方法

Inventor： 鎌田 健 ,  北川 雅俊 ,  澁谷 宗裕 ,  平尾 孝
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 池内 寛幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992306775
Publication number (International publication number)：1994163527
Application date： Nov. 17, 1992
Publication date： Jun. 10, 1994
Summary：

【要約】【目的】 Ta系原料ガスおよび酸素、オゾンの混合ガスを用いた気相成長による酸化タンタル薄膜の製造方法において、膜形成後に酸化性雰囲気で熱処理することにより、高耐圧、低リーク電流など絶縁性に優れた酸化タンタル薄膜を形成する。【構成】 酸化タンタル薄膜は、例えば減圧CVD法などにより、400°Cに加熱されたSiなどの基体3上に、Ta(OC2 H5 )5 などのTa系原料ガスを流量制御されたHeなどの不活性ガスによりバブリングして真空槽1内に導入し、気相中で分解させ、酸素、オゾンの混合ガスと反応させて薄膜形成した後、酸素などの酸化性ガス雰囲気にて450〜600°Cの比較的低温で熱処理することにより、絶縁性に優れた特性のものを形成する。

Claim (excerpt)：

真空槽内に基体を設置し、前記真空槽内にTa系原料ガスおよび酸素、オゾンの混合ガスを導入し、外部よりエネルギーを印加して前記原料ガスを分解することにより前記基体上に酸化タンタル薄膜を気相成長させる酸化タンタル薄膜の製造方法において、膜形成後に酸化性雰囲気で熱処理を施す工程を含むことを特徴とする酸化タンタル薄膜の製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/316 ,  C23C 14/08 ,  H01L 21/205 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/108

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平2-283022
  
• 特開平4-199828
  
• 特開昭64-050428
  
• 特開平4-188729