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J-GLOBAL ID：200903056664825784

フラッシュ電気的消去可能プログラマブル読出し専用メモリのリフレッシュ方法、装置及び同メモリ

Inventor： ジョン エフ.シュレック
Applicant, Patent owner： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
Agent (1)： 浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993315592
Publication number (International publication number)：1995037397
Application date： Dec. 15, 1993
Publication date： Feb. 07, 1995
Summary：

【要約】【目的】 異なる読み出し電圧の下で2回判定した結果の擾乱プログラムメモリセルのみをリフレッシュして効率的にデータ損失を防止する。【構成】 ブロック42で、特定メモリセルをその上昇制御ゲート電圧で読み出す。ブロック44で、同メモリセルが既にプログラムされているか初期判定し、もしプログラムされているならば、ブロック46で、次のメモリセルを読み出す。もし同メモリセルがプログラムされているならば、ブロック48で、同メモリセルを低下制御ゲート電圧で読み出す。次いで、ブロック50で、同セルがプログラムされているか最終判定し、もし同セルがプログラムされていないならば、ブロック46で、次のセルを読み出し、もし依然としてプログラムされているならば、ブロック52で、同セルをリフレッシュする。その後、ブロック46に移行する。読出し電圧順序を上と逆にしてもよい。

Claim (excerpt)：

複数のメモリセルを有するフラッシュ電気的消去可能プログラマブル読出し専用メモリのリフレッシュ方法であって、上昇制御ゲート電圧において特定メモリセルを読み出すステップと、前記特定メモリセルが既にプログラムされているかどうかの初期判定を行うステップと、もし前記初期判定が、前記特定メモリセルは既にプログラムされていると云うのであれば、他のメモリセルについて前記方法を遂行するステップと、もし前記初期判定が、記特定メモリセルはまだプロブラムされていないと云うのであれば、低下制御ゲート電圧において前記特定メモリセルを読み出すステップと、前記特定メモリセルが既にプログラムされているかどうかの最終判定を行うステップと、もし前記最終判定が、前記特定メモリセルはまだプログラムされていないと云うのであれば、他のメモリセルについて前記方法を遂行するステップと、もし前記最終判定が、前記特定メモリセルは既にプログラムされていると云うのであれば、前記特定メモリセルをリフレッシュするステップと、他のメモリセルについて前記方法を遂行するステップとを含む方法。

FI (2)：

G11C 17/00 309 F ,  G11C 17/00 530 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭64-017300
  
• 特開昭62-175998
  
• 特開昭64-017300
  
• 特開昭62-175998