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J-GLOBAL ID：200903056678414671

ニオブ酸リチウム及びタンタル酸リチウムの分極制御方法とこれによる光導波路デバイスの製造方法及び光導波路デバイス

Inventor： 山田 正裕 ,  名田 直司 ,  川久保 伸
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992224350
Publication number (International publication number)：1993210132
Application date： Aug. 24, 1992
Publication date： Aug. 20, 1993
Summary：

【要約】【目的】 ニオブ酸リチウムLN又はタンタル酸リチウムLT基板の表面汚染、屈折率変化等を回避して、制御性よく分極反転構造を得ることができるようにする。【構成】 単分域化されたLN又はLTより成る基板10に、所定の分極反転構造30を形成するLN又はLTの分極制御方法において、この基板10の矢印dで示す分極方向に第1及び第2の電極1及び2を配置して、少なくとも第1の電極1は最終的に得る分極反転構造30のパターンに対応するパターンに形成し、第1及び第2の電極1及び2間の距離TをLNで200 μm以下、LTで700 μm以下とし、これら各電極1及び2間に、基板10の自発分極の負側を負電位、正側を正電位となるように電圧を印加して分極反転構造30を形成する。

Claim (excerpt)：

単分域化されたニオブ酸リチウムより成る基板に、所定の分極反転構造を形成するニオブ酸リチウムの分極制御方法において、上記基板の分極方向に第1及び第2の電極が配置され、少なくとも上記第1の電極は最終的に得る分極反転構造のパターンに対応するパターンに形成され、上記第1及び第2の電極間の距離が200μm以下とされ、これら第1及び第2の電極間に、上記基板の自発分極の負側を負電位、正側を正電位となるように電圧を印加して分極反転構造を形成するようにしたことを特徴とするニオブ酸リチウムの分極制御方法。

IPC (5)：

G02F 1/35 505 ,  C30B 29/30 ,  C30B 33/04 ,  G02B 6/12 ,  G02F 1/37

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-031828
  
• 特開平3-132628
  
• 特開平4-003128