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J-GLOBAL ID：200903056681650173

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 藤塚 徳夫 ,  塚田 厚志 ,  水野 健太朗
Applicant, Patent owner： 株式会社豊田中央研究所
Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000203612
Publication number (International publication number)：2002026338
Application date： Jul. 05, 2000
Publication date： Jan. 25, 2002
Summary：

【要約】【課題】高感度の可動部を有する半導体装置を提供すること。【解決手段】半導体から成る可動部にメッキを施すことで、可動部の質量、剛性、構造強度を大きくすることができる。SOI基板を用いれば、例えばエッチホールの壁面のみにメッキを施した半導体装置を形成することも容易である。

Claim (excerpt)：

基板と、エッチング可能な犠牲層と、半導体層との少なくとも3層から成る半導体積層基板から形成され、前記半導体層から成る可動部を有する半導体装置において、前記可動部の表面の少なくとも一部にメッキが施されたことを特徴とする半導体装置。

IPC (6)：

H01L 29/84 ,  B81B 3/00 ,  B81C 1/00 ,  G01C 19/56 ,  G01P 9/04 ,  G01P 15/125

FI (6)：

H01L 29/84 Z ,  B81B 3/00 ,  B81C 1/00 ,  G01C 19/56 ,  G01P 9/04 ,  G01P 15/125

F-Term (16)：

2F105BB02 ,  2F105BB15 ,  2F105CC04 ,  2F105CD03 ,  2F105CD05 ,  2F105CD13 ,  4M112AA02 ,  4M112BA07 ,  4M112CA26 ,  4M112CA36 ,  4M112DA04 ,  4M112EA02 ,  4M112EA06 ,  4M112EA11 ,  4M112EA18 ,  4M112FA01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 加速度センサおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-349439   Applicant：株式会社デンソー
• 微小機械およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-067598   Applicant：日産自動車株式会社
• 半導体力学量センサの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-206836   Applicant：株式会社デンソー
• 力学量センサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-358195   Applicant：株式会社デンソー
• 半導体力学量センサの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-349152   Applicant：株式会社デンソー