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J-GLOBAL ID：200903056693431736

小型シリコンコンデンサマイクロフォン

Inventor： レパート,ピーター ブイ. ,  シェファー,ディビッド イー.
Applicant, Patent owner： ノウルズ エレクトロニクス,インコーポレイティド
Agent (1)： 石田 敬 (外4名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1998536841
Publication number (International publication number)：2001518246
Application date： Feb. 19, 1998
Publication date： Oct. 09, 2001
Summary：

【要約】ソリッドステートコンデンサトランスデューサの幾つかの実施形態と、その製造の方法とが開示される。このトランスデューサ(10)は、フレーム(11)を形成しかつ開口を有する半導体基板と、前記開口の一部分の上に延びているダイヤフラムを形成しかつ基部部分と末端部分とを有する薄膜カンチレバー構造(12)とを含む。上記基部部分が上記フレームに取り付けられており、かつ、上記末端部分が前記フレームの一部分の上に延びている。可動電極と固定電極とを有する可変ギャップコンデンサ(14)が備えられており、上記可動電極が前記構造の前記末端部分の上に配置されており、かつ、上記固定電極が、上記可動電極に近接して上記フレームの上に配置されている。

Claim (excerpt)：

ソリッドステートトランスデューサであって、 支持構造を形成し且つ開口を有する半導体基板と、 前記開口の一部分の上に延びているダイヤフラムを形成し、基部部分と末端部分とを有し、前記基部部分が前記支持構造に取り付けられており、かつ、前記末端部分が前記支持構造の一部分の上に延びている、薄膜カンチレバー構造と、 可動電極と固定電極とを有し、前記可動電極が前記構造の前記末端部分の上に配置されており、かつ、前記固定電極が、前記可動電極に近接して前記支持構造の上に配置されている可変ギャップコンデンサとを含むソリッドステートトランスデューサ。

IPC (3)：

H04R 19/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04

FI (2)：

H04R 19/04 ,  H01L 27/04 C