Pat

J-GLOBAL ID：200903056697040286

化合物半導体膜の気相成長方法

Inventor： 堀 久男 ,  川久 慶人 ,  石川 博規 ,  真下 正夫
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 則近 憲佑
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992102385
Publication number (International publication number)：1993121340
Application date： Mar. 30, 1992
Publication date： May. 18, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 本発明は成長膜中への炭素の混入が少く、MOCVDに適する蒸気圧を備え高効率で安全な化合物半導体膜構造用化合物を提供する。【構成】 化合物半導体膜を気相成長するに際し、フェニル基の2、4、6、位の少なくとも一つに電子供与性の基を有するV族またはVI族の少なくとも一方のフェニル化合物、PまたはAs原子とシクロペンタジェン環の二つの二重結合とが共有可能な構造式。(ここにXはPまたはAs原子、A〜EはH原子または任意の置換基)で表されるPまたはAs含有シクロペンタジェニル化合物、H原子の一部がモノアルキルアミノ基またはジアルキルアミノ基に置換されたPまたはAsの水素化合物、シアノ基を有するリン化合物または砒素化合物、及びリン原料としてトリス(ジメチルアミノ)ホスフィンから選ばれた原料を使用すること特徴とする化合物半導体膜の気相成長方法。

Claim (excerpt)：

V族或はVI族を含む化合物半導体膜を気相成長するに際し以下の材料の中から選ばれた化合物を用いることを特徴とする化合物半導体膜の気相成長方法。1)V族或はVI族のフェニル化合物で、ベンゼン環の2、4、6、位の少なくとも一つに電子供与性の基を有するフェニル化合物。2)V族或はVI族原子とシクロペンタジェン環の二つの二重結合とが共役可能な構造式【化1】(ここにXはV族或はVI族原子、A〜EはH原子または任意の置換基、nはXがV族の場合2、VI族の場合1)で表されるV族或はVI族原子含有シクロペンタジエニル化合物。3)V族或はVI族の水素化合物の水素原子の少なくとも1つがアルキルアミノ基に置換されたV族の水素化合物。4)V族或はVI族の水素化合物の水素原子の少なくとも1つが炭素数5以下のシアノアルキル基に置換された化合物。5)トリス(ジメチルアミノ)ホスフィン。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/365