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J-GLOBAL ID:200903056716159680

アクチュエータ素子の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 増田 達哉
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995259336
Publication number (International publication number):1997084372
Application date: Sep. 11, 1995
Publication date: Mar. 28, 1997
Summary:
【要約】【課題】カルボキシル基を有する陽イオン交換樹脂の表面に電極体を形成する。【解決手段】カルボキシル基を有する含水状態の陽イオン交換樹脂層2の表面に電極体3、4を接合してなるアクチュエータ素子1の製造方法であって、陽イオン交換樹脂の有するカルボキシル基を-COOM基(ただし、Mは、金属またはアンモニウムイオン)に転換した後、該-COOM基のM+ イオンの一部を電極を形成する金属イオンまたは金属錯イオンに交換し、次いで、陽イオン交換樹脂に還元剤溶液を接触させることにより前記電極を形成する金属イオンまたは金属錯イオンを還元して陽イオン交換樹脂の表面に金属核を形成し、さらに、成長浴を用いて前記金属核上に金属層を成長させ、電極体を形成する。
Claim (excerpt):
-COOM基(ただし、Mは、金属またはアンモニウムイオン)を有する陽イオン交換樹脂の表面に電極体を形成することによりアクチュエータ素子を製造するに際し、前記-COOM基のM+ イオンの一部を電極を形成する金属イオンまたは金属錯イオンに転換する工程と、該電極を形成する金属イオンまたは金属錯イオンを還元して前記陽イオン交換樹脂の表面に電極金属核を形成する工程と、成長浴を用いて前記電極金属核上に金属層を成長させることにより前記電極体を形成する工程とを有することを特徴とするアクチュエータ素子の製造方法。
IPC (2):
H02N 11/00 ,  C23C 22/00
FI (2):
H02N 11/00 ,  C23C 22/00

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