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J-GLOBAL ID：200903056727979752

ネガ型レジスト材料及びパターン形成方法

Inventor：
小板橋 龍二

About 小板橋 龍二

, 
渡辺 保

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武田 隆信

About 武田 隆信

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渡邉 聡

About 渡邉 聡


Applicant, Patent owner：
信越化学工業株式会社

About 信越化学工業株式会社


Agent (4)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005013585
Publication number (International publication number)：2006201532
Application date： Jan. 21, 2005
Publication date： Aug. 03, 2006
Summary：
【解決手段】 式(1)で示される繰り返し単位を含む高分子化合物と光酸発生剤と架橋剤とを含むネガ型レジスト組成物。 【化1】(Xはアルキル基又はアルコキシ基、R1、R2はH、OH、アルキル基、置換可アルコキシ基又はハロゲン原子、R3、R4はH又はCH3、nは1〜4の正の整数、m、kは1〜5の正の整数、p、q、rは正数。)【効果】 本発明は、露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが高く、高感度で高解像性を有し、優れたエッチング耐性を示すネガ型レジスト材料を与えることができる。【選択図】 なし
Claim (excerpt)：
下記一般式(1)で示される繰り返し単位を含む、重量平均分子量が1,000〜500,000である高分子化合物と、高エネルギー線照射により酸を発生する光酸発生剤と、光酸発生剤より発生する酸によって高分子化合物同士を架橋させる架橋剤とを含むことを特徴とするネガ型レジスト材料。
IPC (6)：
G03F 7/038 ,  C08F 212/14 ,  C08F 232/08 ,  G03F 7/004 ,  G03F 7/033 ,  H01L 21/027
FI (7)：
G03F7/038 601 ,  C08F212/14 ,  C08F232/08 ,  G03F7/004 501 ,  G03F7/004 504 ,  G03F7/033 ,  H01L21/30 502R
F-Term (20)：
2H025AA02 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC06 ,  2H025AD01 ,  2H025BE00 ,  2H025CB17 ,  2H025CB45 ,  2H025CB55 ,  2H025CC03 ,  2H025CC04 ,  2H025CC20 ,  2H025FA12 ,  4J100AB07P ,  4J100AB07R ,  4J100AR10Q ,  4J100BA04R ,  4J100BA10R ,  4J100CA05 ,  4J100DA01
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (4)
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