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J-GLOBAL ID：200903056747786284

半導体装置の製造方法及び該方法により製造された半導体装置

Inventor：
山本 一郎

About 山本 一郎


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 西村 征生
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000035459
Publication number (International publication number)：2001230247
Application date： Feb. 14, 2000
Publication date： Aug. 24, 2001
Summary：
【要約】【課題】 高誘電体絶縁膜の形成時に酸化性ガスが存在していてもシリコン基板が酸化されることなく、シリコン基板上に直接に高誘電体絶縁膜を形成する。【解決手段】 開示される半導体装置の製造方法は、シリコン基板1を反応容器6内に搬入した後、この反応容器6内に金属酸化物を構成するZr金属を含んだ有機金属原料13、酸化剤である酸素ガス17及び還元作用を有する原料であるTHF18のガスを導入し、反応容器6内で化学反応を生じさせてシリコン基板1上にZrO2膜4から成る高誘電体ゲート絶縁膜4Aを形成する。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に形成された金属酸化物から成る高誘電体ゲート絶縁膜を有する半導体装置の製造方法であって、前記半導体基板を反応容器内に搬入した後、該反応容器内に前記金属酸化物を構成する金属を含んだ有機金属原料、酸化剤及び還元作用を有する原料を導入し、前記反応容器内で化学反応を生じさせて前記半導体基板上に前記所望の金属の酸化物から成る高誘電体ゲート絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5)：
H01L 21/316 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 29/78
FI (4)：
H01L 21/316 X ,  C23C 16/40 ,  H01L 27/08 102 C ,  H01L 29/78 301 G
F-Term (41)：
4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030BA10 ,  4K030BA17 ,  4K030BA18 ,  4K030BA22 ,  4K030BA42 ,  4K030BA46 ,  4K030CA04 ,  4K030DA08 ,  4K030FA03 ,  4K030JA01 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  5F040DA00 ,  5F040DB01 ,  5F040DC01 ,  5F040EC07 ,  5F040ED03 ,  5F040EH02 ,  5F040EK01 ,  5F040EK05 ,  5F040FA03 ,  5F040FA05 ,  5F040FA19 ,  5F040FB02 ,  5F040FB04 ,  5F048AC01 ,  5F048BA01 ,  5F048BB05 ,  5F048BB11 ,  5F048BC06 ,  5F048BG12 ,  5F048BG14 ,  5F048DA25 ,  5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BC04 ,  5F058BC20 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ10
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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