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J-GLOBAL ID：200903056748362259

半導体素子の製法

Inventor： 奥田 勝己
Applicant, Patent owner： 京セラ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993244398
Publication number (International publication number)：1995106614
Application date： Sep. 30, 1993
Publication date： Apr. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】 密着性および耐環境性の改善された透明導電膜および半導体素子を提供する。【構成】 透明基体1上に薄膜形成手段により0.025μm以上の平均結晶粒径のITO結晶を有する第1の透明導電膜2と平均結晶粒径が0.025μm未満であるITO結晶を有する第2の透明導電膜3とを順次形成するとともに、更にこの第2の透明導電膜3上に還元性活性種を含むプラズマにより半導体膜4を形成して成る半導体素子の製法。

Claim (excerpt)：

透明基体上に薄膜形成手段により平均結晶粒径が0.025μm以上であるITO結晶を有する第1の透明導電膜と平均結晶粒径が0.025μm未満であるITO結晶を有する第2の透明導電膜を順次形成するとともに、該第2の透明導電膜上に還元性活性種を含むプラズマにより半導体膜を形成することを特徴とする半導体素子の製法。

IPC (6)：

H01L 31/04 ,  C01G 15/00 ,  C01G 19/00 ,  G02F 1/1343 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (2)：

H01L 31/04 M ,  H01L 29/78 311 Y