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J-GLOBAL ID:200903056749419580

蒸気障壁特性を有するシリコン酸化物基薄膜の製造方法及びこの方法によって製造した物品

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 中村 稔 (外7名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991282334
Publication number (International publication number):1994108255
Application date: Aug. 02, 1991
Publication date: Apr. 19, 1994
Summary:
【要約】【目的】 本発明の目的は、小さい、または大きい基材上に、商業的に実現可能な速度で、好ましくは予め選択されたガス障壁特性を呈するように、接着力が大きく硬いシリコン酸化物基薄膜を再現可能に沈積させることである。【構成】 揮発した有機シリコン化合物、酸素及び不活性ガスを含むガス流を準備する段階と、プラズマ内に取り外しできるように位置決め可能な基材を収納する予め排気した室内に、ガス流から誘導したグロー放電プラズマを確立する段階と、基材をプラズマ内に位置決めして室内の圧力を約100ミクロン以下に維持し、プラズマ内に流すガス流を制御しながらガス流の反応生成物であるシリコン酸化物の層を約1000オングストローム以下の所定の厚みで基材上に沈積せしめる段階とを具備する。【効果】 従来の同種被膜よりも遥かに薄いにもかかわらず、遥かに低いガス透過速度特性、例えば0.04cc/100 in2/日を有する薄膜が得られ,食品、医療等の分野での応用が期待できる。
Claim (excerpt):
蒸気障壁特性を有するシリコン酸化物基薄膜を沈積せしめる方法であって、揮発した有機シリコン化合物、酸素、及び不活性ガスを含むガス流を準備する段階と、プラズマ内に取り外しできるように位置決め可能な基材を収納する予め排気した室内に、ガス流から誘導したグロー放電プラズマを確立する段階と、基材をプラズマ内に位置決めして室内の圧力を約100ミクロン以下に維持し、プラズマ内に流すガス流を制御しながらガス流の反応生成物であるシリコン酸化物の層を約1000オングストローム以下の所定の厚みで基材上に沈積せしめる段階とを具備することを特徴とする方法。
IPC (4):
C23C 16/40 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
  • 特開昭64-087772
  • 特願昭63-176850
    Application number:特願昭63-176850  

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