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J-GLOBAL ID：200903056753267345

二層カーボンナノチューブの製造方法

Inventor： 齋藤 弥八 ,  中平 貴工 ,  上村 佐四郎 ,  長廻 武志
Applicant, Patent owner： ノリタケ伊勢電子株式会社
Agent (1)： 山川 政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001219202
Publication number (International publication number)：2003034515
Application date： Jul. 19, 2001
Publication date： Feb. 07, 2003
Summary：

【要約】【課題】 二層カーボンナノチューブを簡単に効率よく製造する。【解決手段】 炭素棒に長さ方向の穴を設け、この穴に鉄、ニッケル及びコバルトの中から選択した少なくとも1つの元素と硫黄と炭素とを含む混合粉末102aを詰めて形成した陽極側の炭素電極102と陰極側の炭素電極103とを密閉容器101中に配置し、密閉容器101を真空に排気した後、水素ガスを導入して所定圧力とし、これらの電極間にアーク放電を発生させ、陽極側の炭素電極102を蒸発させて密閉容器101内で凝縮させる。

Claim (excerpt)：

円筒状のグラファイト層が2つ入れ子状に配置された同軸二層構造を有する二層カーボンナノチューブの製造方法であって、鉄、ニッケル及びコバルトの中から選択した少なくとも1つの元素と硫黄と炭素とを水素ガス雰囲気中で蒸発させた後、気相で凝縮させることを特徴とする二層カーボンナノチューブの製造方法。

IPC (4)：

C01B 31/02 101 ,  B01J 19/08 ,  B82B 3/00 ,  D01F 9/127

FI (4)：

C01B 31/02 101 F ,  B01J 19/08 J ,  B82B 3/00 ,  D01F 9/127

F-Term (32)：

4G046CA00 ,  4G046CC06 ,  4G046CC09 ,  4G075AA27 ,  4G075BA01 ,  4G075BB02 ,  4G075BB08 ,  4G075BD14 ,  4G075CA02 ,  4G075CA05 ,  4G075CA17 ,  4G075CA62 ,  4G075CA65 ,  4G075CA66 ,  4G075DA02 ,  4G075EA05 ,  4G075EB27 ,  4G075EC21 ,  4G075ED13 ,  4G075EE02 ,  4G075EE04 ,  4G075FB03 ,  4G075FC11 ,  4L037CS04 ,  4L037CT05 ,  4L037FA02 ,  4L037FA05 ,  4L037FA12 ,  4L037PA06 ,  4L037PA17 ,  4L037PA24 ,  4L037UA02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 二重壁炭素ナノチューブ並びにその製造および使用方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2002-534209   Applicant：フラーレンインターナショナルコーポレイション