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J-GLOBAL ID：200903056768102431

プラズマ処理装置

Inventor：
石井 信雄

About 石井 信雄


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 浅井 章弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992351309
Publication number (International publication number)：1994177077
Application date： Dec. 07, 1992
Publication date： Jun. 24, 1994
Summary：
【要約】【目的】 高周波電源によって交番磁界及び交番電界を形成することによってプラズマを効率的に生成する。【構成】 プラズマ処理装置において、処理容器20の外面に設けた高周波アンナテ手段34に高周波電流を流すことにより処理空間に同心円状の交番磁界48A、48Bを形成して半径方向への交番電界50A、50Bを誘導する。そして、この処理空間Sに直角に静磁場を加えることにより電子Eを同心円状にドリフトさせて閉じ込め、プラズマ生成効率を向上させる。
Claim (excerpt)：
処理空間に位置される被処理体にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記処理空間を区画する処理容器と、この処理容器内の前記処理空間に沿って交番磁界を形成することにより半径方向への交番電界を発生させる高周波アンテナ手段と、前記処理空間に、前記交番磁界と前記交番電界のそれぞれに対して直交する方向に静磁場を形成することによりプラズマ発生用の電子を同心円状にドリフトさせるための磁石手段とを備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (6)：
H01L 21/302 ,  C23C 14/34 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/46
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
  • 特開平3-068773
  • 特開平1-258400
  • 特表平4-504025
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