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J-GLOBAL ID：200903056768905658

光半導体装置およびその製造方法

Inventor： 杉浦 秀幸 ,  粂 雅博 ,  伊藤 国雄
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992335747
Publication number (International publication number)：1994188516
Application date： Dec. 16, 1992
Publication date： Jul. 08, 1994
Summary：

【要約】【目的】 半導体発光素子の接着電極を反転することなく、量産性と信頼性を損なわずに極性の反転を可能にする光半導体装置、およびその製造方法を提供する。【構成】 絶縁性材料の上面に電気的に分離絶縁された2つの金属薄膜の領域Aと領域Bを有し、また、前記上面に対面する下面にも金属薄膜の領域Cを有し、前記上面と前記下面に接する一側面上に前記領域Bと前記領域Cに接する金属薄膜の領域Dを有する構成を備え、前記領域A上の一部分に導電性融着材料により半導体発光素子の一電極面を固定し、また、一電極端子とは絶縁された別の電極端子と領域Cを導電性融着材料により固定し、前記一電極端子と領域A、および、前記半導体発光素子の上面と領域Bを導電性ワイヤーにより接続した構成を有する。

Claim (excerpt)：

絶縁性材料の上面に電気的に分離絶縁された金属薄膜でなる領域Aと領域Bとを有し、前記絶縁性材料の下面に金属薄膜でなる領域Cを有し、前記絶縁性材料の一側面上に前記領域Bと前記領域Cとに接する金属薄膜でなる領域Dを有する構成を備え、前記領域A上に導電性融着材料により半導体発光素子の一電極面を固定し、前記半導体発光素子の他電極面と前記領域Bとを導電線により接続したことを特徴とする光半導体装置。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00