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J-GLOBAL ID：200903056771648020
PTC素子
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (1)：
樺澤 襄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991221613
Publication number (International publication number)：1993021208
Application date： Sep. 02, 1991
Publication date： Jan. 29, 1993
Summary：
【要約】【目的】 電圧印加によるPTC素子の温度変化が繰り返し生じる時に、電極がPTC素子本体より剥がれることを防ぎ、PTC素子の抵抗値の増大を防ぐ。【構成】 高分子物質に導電性粒子を分散した有機質正温度特性組成物で、PTC素子本体1を形成する。金属箔4に、金属粒子とバインダーとを混合した導電性ペーストを塗布して導電層5を形成した複合体を、電極2とする。導電層5がPTC素子本体1に対向して、金属箔4がPTC素子本体1に接触しないように、電極2をPTC素子本体1に圧着して、PTC素子3を作製する。PTC素子3のトリップ温度に達するまでの導電層5の熱膨張率を、金属箔4の熱膨張率とPTC素子本体1の熱膨張率との中間値とする。
Claim (excerpt)：
高分子物質に導電性粒子を分散させてなる有機質正温度特性組成物にて形成されたPTC素子本体に電極を設けたPTC素子において、前記電極は、金属箔に導電性ペーストを塗布して導電層を形成した複合体で、前記導電層が前記PTC素子本体に対向して前記PTC素子本体に圧着され、前記PTC素子本体のトリップ温度に達するまでの前記導電層の熱膨張率は、前記金属箔の熱膨張率と前記PTC素子本体の熱膨張率との中間値になることを特徴とするPTC素子。
Patent cited by the Patent：
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