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J-GLOBAL ID：200903056790100825

回折光を使用した基板検査方法および装置

Inventor： アラン エー エイヤー ,  ジョン エッチ マッコイ ,  諏訪 恭一 ,  ヘンリー ケイ チャウ
Applicant, Patent owner： 株式会社ニコン
Agent (1)： 大西 正悟
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997054687
Publication number (International publication number)：1997329555
Application date： Mar. 10, 1997
Publication date： Dec. 22, 1997
Summary：

【要約】【課題】 半導体ウェファ、又は、基板表面上に形成された他の類似の3次元周期的パターンに於ける欠陥を、光の回折により検出する。【解決手段】 ウェファ全面を照明するために、面光源から単色入射光が供給される。自動画像処理技術の使用により、ウェファのマクロ検査が自動化される。面光源により、異なる角度の光がウェファ表面の各点に入射でき、単一の視野でウェファ全面の欠陥検出が可能となり、検査時間が低減される。単色入射光の特定の波長は、ウェファ上の周期的パターンに於ける欠陥の最適検出を可能にするように、事前に決定されるが、その波長は、周期的パターンのフィーチャーの幅とピッチに依存する。

Claim (excerpt)：

表面に周期的な構造を持つフィーチャーを有する基板における表面欠陥を検査する方法に於いて:前記基板の前記表面上に、入射光を当てるステップ;前記基板の前記表面からの回折光を検知するステップ;前記回折光の回折効率を、既知の回折効率と比較するステップ;及び前記比較された効率から、前記基板上の前記フィーチャーにある局部的欠陥の有無を判定するステップとから成ることを、特徴とする回折光を使用した基板検査方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 欠陥検出装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-208886   Applicant：オリンパス光学工業株式会社