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J-GLOBAL ID:200903056791765421

圧電磁器

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 三反崎 泰司 ,  藤島 洋一郎
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003281356
Publication number (International publication number):2005047745
Application date: Jul. 28, 2003
Publication date: Feb. 24, 2005
Summary:
【課題】 圧電特性を向上させることができる圧電磁器を提供する。【解決手段】 菱面晶系ペロブスカイト構造を有する第1の化合物および正方晶系ペロブスカイト構造を有しチタン酸バリウムを含む第2の化合物に加えて、Biと、Mg,Fe,Co,Ni,CuおよびZnからなる群のうちの少なくとも1種の二価金属元素と、Ti,ZrおよびSnからなる群のうちの少なくとも1種の四価金属元素と、Oとを含む第3の化合物を含有する。これらは固溶していても完全に固溶していなくてもよい。第1の化合物の組成比x、第2の化合物の組成比y、および第3の化合物の組成比zは、モル比で、x+y+z=1,0.35≦x≦0.99,0<y≦0.55,0<z≦0.1をそれぞれ満たす範囲内であることが好ましい。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
菱面晶系ペロブスカイト構造を有する第1の化合物と、 正方晶系ペロブスカイト構造を有しチタン酸バリウムを含む第2の化合物と、 ビスマス(Bi)と、マグネシウム(Mg),鉄(Fe),コバルト(Co),ニッケル(Ni),銅(Cu)および亜鉛(Zn)からなる群のうちの少なくとも1種の二価金属元素と、チタン(Ti),ジルコニウム(Zr)およびスズ(Sn)からなる群のうちの少なくとも1種の四価金属元素と、酸素(O)とを含む第3の化合物と を含有することを特徴とする圧電磁器。
IPC (4):
C04B35/46 ,  H01L41/187 ,  H01L41/22 ,  H01L41/24
FI (4):
C04B35/46 J ,  H01L41/18 101B ,  H01L41/22 A ,  H01L41/22 B
F-Term (15):
4G031AA01 ,  4G031AA03 ,  4G031AA06 ,  4G031AA11 ,  4G031AA12 ,  4G031AA21 ,  4G031AA22 ,  4G031AA23 ,  4G031AA25 ,  4G031AA26 ,  4G031AA31 ,  4G031AA35 ,  4G031BA10 ,  4G031CA01 ,  4G031GA02
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (3) Cited by examiner (4)
  • 圧電磁器
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2001-064206   Applicant:ティーディーケイ株式会社
  • 圧電磁器
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2001-367464   Applicant:ティーディーケイ株式会社
  • 特公平4-060073
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