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J-GLOBAL ID：200903056799211956

誘電体磁器組成物及びその製造方法

Inventor： 高城 東一 ,  猪又 浩 ,  相沢 一裕 ,  飴谷 公兵
Applicant, Patent owner： 電気化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991228635
Publication number (International publication number)：1994012915
Application date： Aug. 14, 1991
Publication date： Jan. 21, 1994
Summary：

【要約】【目的】 誘電率が高く、品質係数Qが大きく、共振周波数の温度係数τf がほぼ0のマイクロ波領域に好適な誘電体磁器組成物及びその製造方法を提供する。【構成】 組成式 a <HAN>・</HAN> BaO <HAN>・</HAN> b <HAN>・</HAN> TiO2<HAN>・</HAN> c <HAN>・</HAN> {l <HAN>・</HAN> Pr<SB>2</SB>O<SB>11/3</SB>, m <HAN>・</HAN> Nd<SB>2</SB>O<SB>3</SB>, n<HAN>・</HAN>Sm<SB>2</SB>O<SB>3</SB>, o<HAN>・</HAN> Gd<SB>2</SB>O<SB>3 </SB>}(式中、a, b, c, l, m, n, o はモル比率で、a+b+c=1 、0.1<a<0.2 、0.6<b<0.8 、0.1<c<0.2 、0.97≦l+m+n+o ≦1 、0.005<l<0.20、0.015<m<0.70、0.02<n<0.95 、0.01<o<0.70 )で表されるチタン、バリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ガドリニウム系誘電体磁器組成物及び希土類原素の原料として、希土類元素を含む原鉱から抽出分離工程で得られる軽希土混合物を用い、前記の誘電体組成物を製造する方法である。

Claim (excerpt)：

組成式 a<HAN>・</HAN> BaO <HAN>・</HAN> b<HAN>・</HAN> TiO<SB>2</SB><HAN>・</HAN> c<HAN>・</HAN> {l<HAN>・</HAN> Pr<SB>2</SB>O<SB>11/3</SB>・m<HAN>・</HAN> Nd<SB>2</SB>O<SB>3 </SB>・n<HAN>・</HAN> Sm<SB>2</SB>O<SB>3 </SB>・o<HAN>・</HAN> Gd<SB>2</SB>O<SB>3 </SB>}(式中、a,b,c, l,m,n,oはモル比率で、a+b+c=1 、0.1<a<0.2、0.6<b<0.8、0.1<c<0.2、0.97≦l+m+n+o≦1 、0.005<l<0.20 、0.015<m<0.70 、0.02 <n <0.95 、0.01 <o<0.70 )で表されるチタン、バリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ガドリニウム系誘電体磁器組成物。

IPC (3)：

H01B 3/12 308 ,  C04B 35/46 ,  H01P 7/10