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J-GLOBAL ID：200903056805966930

半導体集積回路装置の製造方法および半導体集積回路装置

Inventor： 芦原 洋司 ,  齋藤 達之 ,  鳥居 克裕 ,  山口 日出
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000182761
Publication number (International publication number)：2002009146
Application date： Jun. 19, 2000
Publication date： Jan. 11, 2002
Summary：

【要約】【課題】 ダマシン法を用いた配線形成プロセスにより製造されたプラグと下層配線との界面における銅のエレクトロマイグレーションを防ぐ。【解決手段】 接続孔25aを落とし込む埋め込み配線23を、その長さ方向に拡大したパターンで形成することで、接続孔25aと埋め込み配線23との接続部付近における目外れマージンを拡大する。

Claim (excerpt)：

(a)半導体基板の主面上に堆積された第1絶縁膜をエッチングすることによって配線溝を形成する工程、(b)前記配線溝の内部を含む前記第1絶縁膜の上部に第1導電性膜を堆積する工程、(c)前記配線溝の外部の前記第1導電性膜を化学的および機械的に研磨して、前記配線溝内に前記第1導電性膜を残すことにより、第1配線を形成する工程、(d)前記第1絶縁膜および前記第1配線の上部に第2絶縁膜を堆積する工程、(e)前記第2絶縁膜をエッチングすることによって前記第1配線に達する第1接続孔を形成する工程、を含み、前記第1配線は前記第1接続孔との界面においてその長さ方向および幅方向の少なくとも一方を拡大して形成することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

F-Term (59)：

5F033HH04 ,  5F033HH12 ,  5F033HH21 ,  5F033HH25 ,  5F033HH27 ,  5F033HH28 ,  5F033HH29 ,  5F033HH30 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ12 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033KK21 ,  5F033KK25 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033LL04 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM07 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033NN11 ,  5F033NN13 ,  5F033PP09 ,  5F033PP15 ,  5F033PP16 ,  5F033PP21 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ58 ,  5F033QQ59 ,  5F033QQ65 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ75 ,  5F033QQ92 ,  5F033QQ94 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR09 ,  5F033RR11 ,  5F033SS04 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F033TT08 ,  5F033XX05 ,  5F033XX15