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J-GLOBAL ID：200903056828719000

増幅型光電変換素子及びそれを用いた増幅型固体撮像装置

Inventor： 渡辺 恭志 ,  工藤 裕章
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995051641
Publication number (International publication number)：1996250697
Application date： Mar. 10, 1995
Publication date： Sep. 27, 1996
Summary：

【要約】【目的】 簡単な構造で低波長から長波長の光を高感度で検出し、暗電流を大幅に低減できる増幅型光電変換素子およびそれを用いた増幅型固体撮像装置を提供する。【構成】 p型半導体基板21に光電変換により発生した電子からなる信号電荷を蓄積するn型ウェル部22と、ウェル部22内に設けられたp型半導体領域23と、ウェル部22の表面近傍部53、その上の絶縁膜52、および絶縁膜52上の第1の電極24を含む第1のゲート領域55と、第1のゲート領域55に隣接し、表面近傍部54、その上の絶縁膜52、絶縁膜52上の第2の電極25を含む第2のゲート領域56と、n+リセットドレイン領域26とを有する増幅型固体撮像素子。半導体領域23と半導体基板21との間で、表面近傍部53および表面近傍部54をpチャネルとする第1の能動素子を形成するように構成し、信号電荷による第1の能動素子の特性変化を出力信号とする。また、ウェル部22とリセットドレイン領域26の間で、表面近傍部54をチャネルとする第2の能動素子を形成し、信号電荷を排出させる。

Claim (excerpt)：

第1の導電型よりなる半導体基体と、該半導体基体の一表面側に設けられ、光電変換により発生した信号電荷を蓄積する第2の導電型のウェル部と、該ウェル部の一表面側の一領域に設けられた第1の導電型の半導体領域と、該ウェル部の該半導体領域を除く領域の一表面近傍部、該一表面近傍部上の絶縁膜、及び該絶縁膜上の第1の電極を含む第1のゲート領域と、該半導体基体の一表面側にあって該第1のゲート領域に隣接し、該半導体基体の一表面近傍部、該半導体基体の一表面近傍部上の絶縁膜、および該絶縁膜上の第2の電極を含む第2のゲート領域とを有し、該半導体領域と該半導体基体との間で該第1のゲート領域の該一表面近傍部をチャネルとする能動素子を形成するように構成し、該信号電荷によって生じる能動素子の特性変化を出力信号とする増幅型光電変換素子。

IPC (4)：

H01L 27/146 ,  H01L 31/02 ,  H01L 31/10 ,  H04N 5/335

FI (4)：

H01L 27/14 A ,  H04N 5/335 E ,  H01L 31/02 A ,  H01L 31/10 E