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J-GLOBAL ID：200903056839703164

シリコンウェハ及びその製造方法

Inventor： 名 倉 みゆき
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995271349
Publication number (International publication number)：1997110589
Application date： Oct. 19, 1995
Publication date： Apr. 28, 1997
Summary：

【要約】【課題】 結晶方位を容易に示すことができるシリコンウェハ及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 本発明のシリコンウェハは、真円形状を有するシリコンウェハにおいて、それぞれ態様の異なるベベルを備え、各ベベルの境界方向が結晶方位を示している。本発明のシリコンウェハの製造方法は、シリコンウェハ結晶を引上げる時に形成される結晶方位を示す晶癖線を残して外周加工するステップと、晶癖線を境界にして、それぞれ態様の異なるベベルを加工するステップとを有する。

Claim (excerpt)：

真円形状を有するシリコンウェハの周辺に、それぞれ態様の異なるベベルを備え、各ベベルの境界方向が結晶方位を示していることを特徴とするシリコンウェハ。

IPC (3)：

C30B 29/06 ,  B24B 9/00 ,  H01L 21/02

FI (3)：

C30B 29/06 C ,  B24B 9/00 L ,  H01L 21/02 B