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J-GLOBAL ID：200903056863033307

半導体発光素子

Inventor： 松本 幸生
Applicant, Patent owner： ローム株式会社
Agent (1)： 河村 洌 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995139656
Publication number (International publication number)：1996335717
Application date： Jun. 06, 1995
Publication date： Dec. 17, 1996
Summary：

【要約】【目的】 エピタキシャル成長の工程数を増やすことなく、外部に光を取り出すことができない場所で発光させるムダをなくして、発光した光を外部に効率よく取り出し、発光効率を向上させた半導体発光素子を提供する。【構成】 半導体基板1上に発光層6および電流拡散層5が少なくとも設けられ、該電流拡散層側の表面に一方の電極8が部分的に設けられ、前記半導体基板の裏面の少なくとも主要部に他方の電極9が設けられてなる半導体発光素子であって、前記電流拡散層側の表面に設けられた電極の一部の下側の部分の前記電流拡散層または前記半導体基板が除去され、空洞にされ、または該除去された部分に電気的絶縁物10が充填されている。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に発光層および電流拡散層が少なくとも設けられ、該電流拡散層側の表面に一方の電極が部分的に設けられ、前記半導体基板の裏面の少なくとも主要部に他方の電極が設けられてなる半導体発光素子であって、前記電流拡散層側の表面に設けられた電極の一部の下側の部分の前記電流拡散層が除去され、該除去された部分に電気的絶縁物が充填されてなる半導体発光素子。