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J-GLOBAL ID：200903056863116652

金属配線の形成方法

Inventor： 工藤 寛
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 中島 洋治 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991235223
Publication number (International publication number)：1993074733
Application date： Sep. 17, 1991
Publication date： Mar. 26, 1993
Summary：

【要約】【目的】 多層金属配線において,半導体基板と金属配線,または第1層金属配線と第2層金属配線とのコンタクトを行うレーザプラグ形成法に関し,微細なスルーホールに対しても良好なコンタクトがとれるようにする。【構成】 Si基板11上に,SiO2 膜12,第1層Al配線13,およびPSG膜14を順次形成した後,PSG膜にスルーホール15を形成する。その後,全面に第1のAl膜を堆積した後,PSG膜14上に堆積された第1のAl膜をエッチバックする。そして,全面に第2のAl膜17を堆積し,エキシマレーザ光18を照射して,第2のAl膜17を溶融させてスルーホール15内へ埋め込む。

Claim (excerpt)：

半導体基板または導電層から成る下地上に堆積された絶縁膜に,下地に到達するスルーホールを形成する工程と,全面に第1の金属膜を堆積する工程と,絶縁膜上に堆積された第1の金属膜を除去する工程と,全面に第2の金属膜を堆積する工程と,レーザ光を照射して,第2の金属膜を溶融させてスルーホール内へ埋め込む工程とを含むことを特徴とする金属配線の形成方法。

IPC (4)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/90