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J-GLOBAL ID：200903056867935640

磁気薄膜メモリ及びその製造方法

Inventor： 関口 芳信
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 金田 暢之 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000265669
Publication number (International publication number)：2002074937
Application date： Sep. 01, 2000
Publication date： Mar. 15, 2002
Summary：

【要約】【課題】 メモリ素子の製造マージンが広く、メモリ素子を微細化する際に問題となる磁性薄膜の反磁界を低減することにより高集積化が可能な、磁気薄膜メモリ素子を提供する。【解決手段】 第1磁性層(2)と、薄い絶縁体で形成されるトンネル障壁層(3)と、第2磁性層(4)とを含んでなる、磁性トンネル接合を利用した磁気抵抗素子であって、第2磁性層(4)を導電性中間層(5)を介して第3磁性層(6)と接触させ、第2磁性層(4)および第3磁性層(6)を磁気的に結合させる。

Claim (excerpt)：

第1磁性層と、薄い絶縁体で形成されるトンネル障壁層と、第2磁性層とを含んでなる、磁性トンネル接合を利用した磁気抵抗素子であって、第2磁性層は導電性中間層を介して第3磁性層と接しており、第2磁性層および第3磁性層は磁気的に結合していることを特徴とする磁気薄膜メモリ。

IPC (3)：

G11C 11/15 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/12

FI (3)：

G11C 11/15 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 43/12