Pat

J-GLOBAL ID：200903056872727958

半導体電子放出素子

Inventor： 平林 敬二 ,  松島 正明
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 山下 穣平 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991067594
Publication number (International publication number)：1993135687
Application date： Mar. 08, 1991
Publication date： Jun. 01, 1993
Summary：

【要約】【目的】 高品質のダイヤモンド結晶を得、高い電子放出特性を得る。【構成】ダイヤモンド半導体層を用いた半導体電子放出素子において、前記ダイヤモンド半導体層の結晶欠陥密度を108 個/cm2 以下とする。

Claim (excerpt)：

ダイヤモンド半導体層を用いた半導体電子放出素子において、前記ダイヤモンド半導体層の結晶欠陥密度を108 個/cm2 以下とすることを特徴とする半導体電子放出素子。