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J-GLOBAL ID：200903056885528288

半導体の製造方法

Inventor： 堤 芳紹 ,  岡本 良雄 ,  富岡 秀起 ,  大川 章 ,  安藤 敏夫
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 春日 讓
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999024277
Publication number (International publication number)：2000223481
Application date： Feb. 01, 1999
Publication date： Aug. 11, 2000
Summary：

【要約】【課題】多成分系の強誘電体膜を成膜するための液体又は液化原料を用いる場合でも、原料の供給系部品を高圧対応構造とすることなく、装置の安全性を確保する。【解決手段】容器5内にウェハ4を配置し、成膜用の液体原料271〜273を気化ノズル211〜213で微粒化して容器5内に供給し、ウェハ4表面に到達する前に気化させ、その気化した原料271〜273をウェハ4表面に供給することによりウェハ4上に半導体素子用のBST薄膜を形成する半導体の製造方法において、液体原料271〜273の温度を、その供給経路のうち気化ノズル211〜213までの部分において沸点未満となるように冷却する。

Claim (excerpt)：

容器内に基板を配置し、成膜用の液体原料又は固体原料を液化した液化原料のうち少なくとも一部を微粒化機構で微粒化して前記容器内に供給し、前記基板表面に到達する前に気化させ、その気化した原料を前記基板表面に供給することにより前記基板上に半導体素子用の薄膜を形成する半導体の製造方法において、原料温度調節機構を用いて、前記少なくとも一部の液体原料又は液化原料の温度を、その供給経路のうち少なくとも前記微粒化機構までの部分において沸点未満となるように制御することを特徴とする半導体の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/316

FI (3)：

H01L 21/31 B ,  C23C 16/44 C ,  H01L 21/316 X

F-Term (23)：

4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA01 ,  4K030EA03 ,  4K030JA10 ,  4K030KA25 ,  4K030KA26 ,  4K030KA41 ,  5F045AA06 ,  5F045AB31 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045AD09 ,  5F045BB20 ,  5F045EC09 ,  5F045EF01 ,  5F045EJ01 ,  5F058BC03 ,  5F058BF04 ,  5F058BF22 ,  5F058BF29 ,  5F058BF55 ,  5F058BG02