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J-GLOBAL ID：200903056886095415

CVD法

Inventor： 岩松 誠一
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991182127
Publication number (International publication number)：1993029301
Application date： Jul. 23, 1991
Publication date： Feb. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、水素含有の無いCVD絶縁膜を形成する為のCVD法における新しいガス源材料を提供する事を目的とする。【構成】 水素結合を有し無いSi化合物ガス、水素結合を有し無い酸化ガス、水素結合を有し無い窒化ガス、及び/叉は、水素結合を有し無いP、B、Ge、As、及び/叉は Sb等のハロゲン化ガスを用いて、水素含有の無い、CVDによる SiO2、Si3N4、オキシナイトライド、PSG、BSG、BPSG、叉は その他のガラス等の膜を形成する事を特徴とするCVD法。

Claim (excerpt)：

CVD SiO2膜、Si3N4膜、オキシナイトライド膜,PSG 膜、BSG膜、BPSG膜、及び その他のガラス膜等のCVD絶縁膜形成時のガス源として、SiF4 、Si2Cl6、SiCl4、叉は Si2OCl6ガス等を用いる事を特徴とするCVD法。

IPC (3)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318