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J-GLOBAL ID：200903056887813516

半導体装置

Inventor： 片山 秀昭
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992200366
Publication number (International publication number)：1994021705
Application date： Jul. 03, 1992
Publication date： Jan. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】 プリマッチング回路を持つ半導体装置を小型化する。【構成】 入力側及び出力側プリマッチング回路14,17をL字型の構造とし、ゲートリード6及びドレインリード8の方向と、FETチップ1の長手方向が平行となるようにFETチップ1を配置する。

Claim (excerpt)：

接地導体上に配置された高周波用半導体チップと、上記接地導体上に絶縁基板を介して形成され、上記高周波用半導体チップの入,出力インピーダンスを調整するインピーダンス整合回路とを備えた半導体装置において、上記インピーダンス整合回路をL字型の導電層を用いて構成したことを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01P 5/02 ,  H01P 3/08 ,  H01P 5/08