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J-GLOBAL ID：200903056898887597

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 堀 志津江 ,  大澤 明彦 ,  馬場 嘉朗 ,  八幡 重夫
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995193022
Publication number (International publication number)：1997045699
Application date： Jul. 28, 1995
Publication date： Feb. 14, 1997
Summary：

【要約】【課題】工程増加を伴なわずに、重金属汚染による接合リ-ク電流の増加を抑制し、高性能高耐圧の半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】第1の導電型を有する半導体基板10の少なくとも一方の表面にシリコン、炭素、窒素、酸素、水素、アルゴン、ヘリウム、クセノンのグル-プから選択された一つ以上の元素をド-ズ量1×1015cm-2以上でイオン注入して加工歪層11を形成し、基板表面を酸化して形成した酸化膜12を通して、基板10の表面に第2の導電型の不純物を低濃度(ド-ズ量1×1015cm-2以下)でイオン注入し、基板10の裏表面に第2の導電型の不純物を高濃度(ド-ズ量1×1015cm-2以上)でイオン注入して、熱処理により接合を形成する。

Claim (excerpt)：

第1の導電型を有する半導体基板に表裏両面から第2の導電型の不純物のイオン注入を行い熱処理することにより形成される第2の導電型の表面領域と基板との間に2つの接合を有する半導体装置において、前記第2の導電型を有する2つの表面領域は、一方は高い不純物濃度を有し、他方は低い不純物濃度を有しており、その低い不純物濃度の領域はシリコン、炭素、窒素、酸素、水素、アルゴン、ヘリウム、クセノンのグル-プから選択された一つ以上の元素をイオン注入することにより形成される加工歪層を備えていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/322 ,  H01L 29/74 ,  H01L 21/332

FI (3)：

H01L 21/322 J ,  H01L 29/74 F ,  H01L 29/74 301