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J-GLOBAL ID：200903056906864798

電界シールド用透明導電膜

Inventor： 足立 健治
Applicant, Patent owner： 住友金属鉱山株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994019076
Publication number (International publication number)：1995230775
Application date： Feb. 16, 1994
Publication date： Aug. 29, 1995
Summary：

【要約】【目的】 電界シールド効果に十分な低い表面抵抗値と、低いヘイズ値と、高い透過率を有し、さらに反射防止効果があって耐湿性に優れた透明導電膜を提供する。【構成】 ガラス基板上に第1層がITO分散シリケート膜、第2層がATO分散シリケート膜、第3層がオーバーコートシリケート膜又は第1層がITO分散シリケート膜、第2層がシリケート膜、第3層がATO分散シリケート膜、第4層がオーバーコートシリケート膜である電界シールド用透明導電膜。

Claim (excerpt)：

ガラス基板上に、第1層がITO分散シリケート膜、第2層がATO分散シリケート膜、第3層がオーバーコートシリケート膜の3層積層からなる電界シールド用透明導電膜であって、第1層のITO分散シリケート膜は、インジウム錫酸化物微粒子をシリケートマトリックスに分散させた膜であり、0.07〜0.60μmの膜厚を有し、第2層のATO分散シリケート膜は、アンチモン酸化錫微粒子をシリケートマトリックスに分散させた膜であり、0.07〜0.60μmの膜厚を有し、第3層のオーバーコートシリケート膜は、0.08μm以上の厚みの透明なシリケートガラス層であることを特徴とする電界シールド用透明導電膜。

IPC (3)：

H01J 29/88 ,  H01J 29/89 ,  H05K 9/00