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J-GLOBAL ID：200903056914559422

シリコンウエハのエッチング液およびその方法

Inventor： 上村 賢一 ,  佐近 正 ,  三浦 晃 ,  垂永 伸二 ,  畑中 裕行
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社 ,  ニッテツ電子株式会社
Agent (1)： 八田 幹雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993104408
Publication number (International publication number)：1994314684
Application date： Apr. 30, 1993
Publication date： Nov. 08, 1994
Summary：

【要約】【目的】 シリコン半導体ウエハ製造のためのウエハ化学エッチング液およびその液を使用するエッチング方法を提供する。【構成】 重量%比で、HF/HNO3=0.30〜0.40(HF+HNO3)/CH3COOH=0.80〜3.00(HF+HNO3)/H2O=0.80〜2.90の組成を有する溶液にシリコンを0.36〜0.80mol/リットル溶解したことを特徴とするシリコン半導体ウエハのエッチング液および前記のエッチング液を用い、該エッチング液の温度を20〜60°Cの温度に調整し、ウエハを揺動させながら該エッチング液に浸漬することを特徴とするシリコン半導体ウエハのエッチング方法に関する。

Claim (excerpt)：

重量%比で、HF/HNO3=0.30〜0.40(HF+HNO3)/CH3COOH=0.80〜3.00(HF+HNO3)/H2O=0.80〜2.90の組成を有する溶液にシリコンを0.36〜0.80mol/リットル溶解したことを特徴とするシリコン半導体ウエハのエッチング液。

IPC (4)：

H01L 21/306 ,  C23F 1/08 104 ,  C23F 1/24 ,  H01L 21/308