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J-GLOBAL ID：200903056918735420

ビス(t-ブチルアミノ)シランからの窒化珪素の化学気相成長法

Inventor： ラビ クマール ラックスマン ,  デビッド アレン ロバーツ ,  アーサー ケネス ホッフバーグ ,  ハーマン ジーン ホッケンハル ,  フェリシア ダイアン カミンスキー
Applicant, Patent owner： エアー.プロダクツ.アンド.ケミカルス.インコーポレーテッド
Agent (1)： 石田 敬 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998281036
Publication number (International publication number)：1999172439
Application date： Oct. 02, 1998
Publication date： Jun. 29, 1999
Summary：

【要約】【課題】 半導体デバイスの製造において化学的に不活性な誘電体材料として有用な窒化珪素(Si3 N4 )皮膜の新しい製法を提供する。【解決手段】 アンモニア及び(t-C4 H9 NH)2 SiH2 の化学式で表されるシランから低圧化学気相成長によって窒化珪素皮膜を形成する。

Claim (excerpt)：

アンモニア及び(t-C4 H9 NH)2 SiH2 の化学式で表されるシランを使用して、基材上に窒化珪素の低圧化学気相成長を行う方法。

IPC (3)：

C23C 16/34 ,  C07F 7/02 ,  H01L 21/318

FI (3)：

C23C 16/34 ,  C07F 7/02 Z ,  H01L 21/318 B