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J-GLOBAL ID：200903056928870457

半導体記憶システム

Inventor： 熊谷 浩一
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 丸山 隆夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998347575
Publication number (International publication number)：2000173273
Application date： Dec. 07, 1998
Publication date： Jun. 23, 2000
Summary：

【要約】【課題】 低電圧で安定した動作が可能である半導体記憶システムを提供する。【解決手段】 本発明は、データの読み出し動作時に各ビットの読み出し動作を完了したことを示す複数のセンス完了信号を発生する複数のセンスアンプ回路10を備えるSRAM装置1と、センスアンプ回路10からの複数のセンス完了信号とクロック信号との論理積信号を発生してセンス終了信号として出力するAND回路3と、AND回路3からのセンス終了信号に応じてSRAM装置1に供給する電源電圧を制御する電源電圧制御回路2とを有して構成される。以上の構成により、低電圧で安定した動作を可能とする。

Claim (excerpt)：

データの読み出し動作時に各ビットの読み出し動作を完了したことを示す複数のセンス完了信号を発生する複数のセンスアンプ回路を備える半導体記憶装置と、前記センスアンプ回路からの複数の前記センス完了信号とクロック信号との論理積信号を発生してセンス終了信号として出力するAND回路と、前記AND回路からの前記センス終了信号に応じて前記半導体記憶装置に供給する電源電圧を制御する電源電圧制御回路とを有することを特徴とする半導体記憶システム。