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J-GLOBAL ID：200903056931400852

強誘電体薄膜、及びその製造方法

Inventor： 武田 朋 ,  森山 弘朗 ,  梨本 恵一
Applicant, Patent owner： 富士ゼロックス株式会社
Agent (1)： 中島 淳 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998273651
Publication number (International publication number)：2000106036
Application date： Sep. 28, 1998
Publication date： Apr. 11, 2000
Summary：

【要約】【課題】 組成が安定に制御され、緻密で良好な表面性と結晶性を有する単結晶状の強誘電体薄膜、及びその製造方法を提供することにある。【解決手段】 Li元素と、Nb及びTaのうち少なくとも一つの元素とを含み、有機配位子が式:R1 OR2 O-(式中R1 は脂肪族炭化水素基を示し、R2はエーテル結合を有してもよい2価の脂肪族炭化水素基を示す。)で示される複合金属アルコキシドの有機溶媒溶液に、該複合金属アルコキシドと水とのモル比が1:1〜1:2となる量の水を加えて部分的に加水分解する加水分解工程、該加水分解工程で得られた前駆体溶液を単結晶基板上に塗布する塗布工程、及び熱処理工程よって得られることを特徴とする強誘電体薄膜である。

Claim (excerpt)：

Li元素と、Nb及びTaのうち少なくとも一つの元素とを含み、有機配位子が式:R1 OR2 O-(式中R1 は脂肪族炭化水素基を示し、R2 はエーテル結合を有してもよい2価の脂肪族炭化水素基を示す。)で示される複合金属アルコキシドの有機溶媒溶液に、該複合金属アルコキシドと水とのモル比が1:1〜1:2となる量の水を加えて部分的に加水分解する加水分解工程、該加水分解工程で得られた前駆体溶液を単結晶基板上に塗布する塗布工程、及び熱処理工程よって得られることを特徴とする強誘電体薄膜。

IPC (5)：

H01B 3/00 ,  C30B 29/30 ,  G02B 6/13 ,  G02B 6/12 ,  G02F 1/03 501

FI (7)：

H01B 3/00 F ,  C30B 29/30 A ,  C30B 29/30 B ,  C30B 29/30 C ,  G02F 1/03 501 ,  G02B 6/12 M ,  G02B 6/12 N

F-Term (24)：

2H047QA03 ,  2H047RA08 ,  2H079AA02 ,  2H079AA12 ,  2H079AA13 ,  2H079AA14 ,  2H079CA05 ,  2H079CA24 ,  2H079DA03 ,  2H079HA12 ,  2H079HA16 ,  4G077AA03 ,  4G077BC32 ,  4G077BC37 ,  4G077CB08 ,  4G077ED06 ,  5G303AA10 ,  5G303AB20 ,  5G303BA03 ,  5G303CA01 ,  5G303CB16 ,  5G303CB21 ,  5G303CB33 ,  5G303DA02