増幅型固体撮像装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998320589
Publication number (International publication number)：2000150849
Application date： Nov. 11, 1998
Publication date： May. 30, 2000
Summary：

【要約】【課題】フォトダイオード表面と開口を規定する金属膜との間に大きな段差があっても、チップの中央部と周辺部における入射光量を揃えることができ、チップの中央部と周辺部で同じ感度を得られる。【解決手段】半導体基板上に、フォトダイオードと信号走査回路部を含む単位セルが2次元アレイ状に配置された撮像領域と、この撮像領域内の各セルからの信号を読み出す信号線とを備えたCMOSセンサにおいて、フォトダイオード22に対して光照射される領域を規定する金属膜26の開口領域の中心位置が、各々対応するフォトダイオード22の中心位置に対して、チップの中心側にずれている。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に、光電変換部と信号走査回路部を含む単位セルが2次元アレイ状に配置された撮像領域と、この撮像領域内の各セルからの信号を読み出す信号線とを備えた増幅型固体撮像装置であって、前記光電変換部に対して光照射される領域を規定する金属膜の開口領域の中心位置が、各々対応する光電変換部の中心位置に対して、前記撮像領域の中心側にずれていることを特徴とする増幅型固体撮像装置。

IPC (3)：

H01L 27/146 , H01L 27/14 , H04N 5/335

FI (4)：

H01L 27/14 A , H04N 5/335 E , H04N 5/335 V , H01L 27/14 D

F-Term (23)：

4M118AA06 , 4M118AB01 , 4M118BA14 , 4M118CA03 , 4M118CB13 , 4M118FA06 , 4M118FA28 , 4M118FA33 , 4M118FA42 , 4M118GB03 , 4M118GB06 , 4M118GB07 , 4M118GB11 , 4M118GC07 , 4M118GD02 , 4M118GD04 , 4M118GD07 , 5C024AA01 , 5C024CA14 , 5C024EA04 , 5C024GA01 , 5C024GA31 , 5C024GA51

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

固体撮像素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-196084 Applicant：ソニー株式会社
特開昭61-228668

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