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J-GLOBAL ID：200903056948203031

半導体発光素子

Inventor： 藤田 宏元 ,  西谷 克彦
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 則近 憲佑
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995072672
Publication number (International publication number)：1996274367
Application date： Mar. 30, 1995
Publication date： Oct. 18, 1996
Summary：

【要約】【目的】 光半導体素子の不良発生率に占める割合が極めて高いサイリスタ通電不良の発生を抑制する。【構成】 基板11上には、バッファ層12、ブラック反射層15、n型クラッド層16、発光層17、p型クラッド層18がこの順に形成される。発光層17のドナー不純物の濃度はp型クラッド層18のドナー不純物の濃度より高くなっている。

Claim (excerpt)：

半導体基板上部に形成されるn型クラッド層と、このn型クラッド層上面に形成される発光層と、この発光層上面に形成されるp型クラッド層とを具備し、前記発光層のドナー不純物の濃度が前記p型クラッド層のドナー不純物の濃度より高いことを特徴とする半導体発光素子。