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J-GLOBAL ID:200903056968154380
集積化圧力センサの製造方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
恩田 博宣
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992256925
Publication number (International publication number):1993206483
Application date: Sep. 25, 1992
Publication date: Aug. 13, 1993
Summary:
【要約】【目的】 シリコンウェハと台座との接合時の歪みによる悪影響を低減することができる集積化圧力センサの製造方法を提供することにある。【構成】 シリコンウェハ1に、チップ毎の薄肉のダイヤフラム2と、チップ毎のピエゾ抵抗層と、チップ毎の調整用抵抗体を有する信号処理回路とを形成する。そして、シリコンウェハ1のダイヤフラム2に圧力を印加するための台座用圧力調整通路7を有するガラス台座6上にシリコンウェハ1を接合する。さらに、チップ毎にシリコンウェハ1を通過してガラス台座6の所定深さに及ぶハーフダイシングを行い、ウェハトリミングの圧力感度調整工程における負圧設定時において台座用圧力調整通路7を通してダイヤフラム2への圧力を調整しながらチップ毎に調整用抵抗体の抵抗値を調整する。最後に、チップ毎にシリコンウェハ1及びガラス台座6を裁断するフルダイシングを行う。
Claim (excerpt):
シリコンウェハに、チップ毎の薄肉のダイヤフラムと、チップ毎のピエゾ抵抗層と、チップ毎の調整用抵抗体を有する信号処理回路とを形成する第1工程と、前記台座上に前記シリコンウェハを接合する第2工程と、チップ毎に前記シリコンウェハを通過して前記台座の所定深さに及ぶハーフダイシングを行う第3工程と、チップ毎に前記調整用抵抗体の抵抗値を調整する第4工程と、チップ毎に前記シリコンウェハ及び台座を裁断するフルダイシングを行う第5工程とを備えたことを特徴とする集積化圧力センサの製造方法。
IPC (3):
H01L 29/84
, G01L 1/18
, G01L 9/04 101
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (8)
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