エピタキシャル成長装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本孝久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996168309
Publication number (International publication number)：1997330884
Application date： Jun. 07, 1996
Publication date： Dec. 22, 1997
Summary：

【要約】【課題】量産性に優れ、占有面積が小さく、エピタキシャル層の基板面内均一性に優れ且つ結晶欠陥が発生し難く、しかも、エピタキシャル成長室の内壁に薄膜が成膜されることがないエピタキシャル成長装置を提供する。【解決手段】エピタキシャル成長装置は、(イ)縦型のエピタキシャル成長室10と、(ロ)各基板32を水平に保持し、且つかかる基板を垂直方向に複数枚保持する、エピタキシャル成長室10内に配置された基板保持治具30と、(ハ)エピタキシャル成長室10の外側に配設された誘導加熱装置26と、(ニ)エピタキシャル成長室10に設けられ、基板上にエピタキシャル層を形成するための原料ガスを導入するガス導入部40、並びにガス排出部42とを備えたエピタキシャル成長装置であって、基板保持治具30は、炭化ケイ素(SiC)で表面が被覆された導電性材料から成る。

Claim (excerpt)：

(イ)縦型のエピタキシャル成長室と、(ロ)各基板を水平に保持し、且つかかる基板を垂直方向に複数枚保持する、該エピタキシャル成長室内に配置された基板保持治具と、(ハ)該エピタキシャル成長室の外側に配設された誘導加熱装置と、(ニ)該エピタキシャル成長室に設けられ、基板上にエピタキシャル層を形成するための原料ガスを導入するガス導入部、並びにガス排出部、とを備えたエピタキシャル成長装置であって、該基板保持治具は、炭化ケイ素で表面が被覆された導電性材料から成ることを特徴とするエピタキシャル成長装置。

IPC (5)：

H01L 21/205 , C30B 25/12 , C30B 29/06 504 , H01L 21/68 , C23C 16/44

FI (6)：

H01L 21/205 , C30B 25/12 , C30B 29/06 504 L , H01L 21/68 N , C23C 16/44 H , C23C 16/44 D

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