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J-GLOBAL ID：200903056991763920

窒化ガリウム系薄膜の成長方法

Inventor： 遠藤 宏 ,  宮田 邦夫 ,  今井 秀秋
Applicant, Patent owner： 旭化成工業株式会社
Agent (1)： 渡辺 一雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991265835
Publication number (International publication number)：1993109621
Application date： Oct. 15, 1991
Publication date： Apr. 30, 1993
Summary：

【要約】【目的】 紫外〜青色領域の光素子用として最適なGaN系半導体薄膜を得ること。【構成】 GaN系半導体薄膜をガスソースMBE法により作製する際,基板へ原料を間欠的に、もしくは交互に供給する又は原料供給を行わない時間を設けることにより半導体特性の良好な薄膜を得る。【効果】 平担性・結晶性を向上できるために、発光素子用として最適な半導体薄膜を得ることができる。

Claim (excerpt)：

ガスソースMBE法を用いて基板上にIII族元素とV族元素とを交互に供給することを特徴とする窒化ガリウム系薄膜の成長方法。

IPC (5)：

H01L 21/203 ,  C01B 21/06 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00