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J-GLOBAL ID：200903056997592981
磁気抵抗効果素子
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
三好 秀和 (外9名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998087190
Publication number (International publication number)：1999284248
Application date： Mar. 31, 1998
Publication date： Oct. 15, 1999
Summary：
【要約】【課題】 MRヘッド等の再生部に用いられる磁気抵抗効果素子において、交換結合磁界を増大させることにより、安定かつ高い再生特性を得る。【解決手段】 下地膜13と第1の磁性膜11との間に、第1の磁性膜11、第2の磁性膜12及び反強磁性膜14の結晶性を制御するための非磁性膜16を積層した。
Claim (excerpt)：
基板上に、下地膜、第1の磁性膜、非磁性膜、第2の磁性膜、及び反強磁性膜が順に成膜された積層膜を備えた磁気抵抗効果素子において、前記下地膜と第1の磁性膜との間に非磁性膜を積層したことを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (3)：
H01L 43/08
, G11B 5/39
, H01F 10/30
H01L 43/08 Z
, G11B 5/39
, H01F 10/30
