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J-GLOBAL ID：200903057005694741

メモリ、書き込み装置、読み出し装置およびその方法

Inventor： 西原 孝史 ,  児島 理恵 ,  山田 昇
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001324150
Publication number (International publication number)：2002203392
Application date： Oct. 22, 2001
Publication date： Jul. 19, 2002
Summary：

【要約】【課題】 多値の情報を記憶し、書き込みおよび読み出しの容易な相変化メモリを提供すること。【解決手段】 メモリ11は、電流パルスの印加による温度上昇に起因して結晶相と非晶質相との間で可逆的な相変化を起こすことにより情報を記録する第1の記録層3と、第2の記録層5とを備える。第1の記録層3の結晶化温度Tx1と第2の記録層5の結晶化温度Tx2との関係が、Tx1x2であり、第1の記録層3の結晶化時間tx1と第2の記録層5の結晶化時間tx2との関係が、tx1>tx2であり、第1の記録層3が非晶質相の場合の抵抗値をRa1、第1の記録層3が結晶相の場合の抵抗値をRc1、第2の記録層5が非晶質相の場合の抵抗値をRa2、第2の記録層5が結晶相の場合の抵抗値をRc2とすると、Ra1+Ra2、Ra1+Rc2、Ra2+Rc1、Rc1+Rc2が互いに異なる。

Claim (excerpt)：

電流パルスの印加による温度上昇に起因して結晶相と非晶質相との間で可逆的な相変化を起こすことにより情報を記録する第1の記録層と、電流パルスの印加による温度上昇に起因して結晶相と非晶質相との間で可逆的な相変化を起こすことにより情報を記録する第2の記録層とを備えるメモリであって、前記第1の記録層の結晶化温度Tx1と前記第2の記録層の結晶化温度Tx2との関係が、Tx1x2であり、前記第1の記録層の結晶化時間tx1と前記第2の記録層の結晶化時間tx2との関係が、tx1>tx2であり、前記第1の記録層が非晶質相の場合の抵抗値をRa1、前記第1の記録層が結晶相の場合の抵抗値をRc1、前記第2の記録層が非晶質相の場合の抵抗値をRa2、前記第2の記録層が結晶相の場合の抵抗値をRc2とすると、Ra1+Ra2、Ra1+Rc2、Ra2+Rc1、Rc1+Rc2が互いに異なる、メモリ。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 多値相変化光記録媒体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-042242   Applicant：株式会社東芝
• 情報記録媒体およびその製造方法ならびにその記録再生方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-253401   Applicant：松下電器産業株式会社